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產品簡介

規格:0.5mm*114*114mm、1mm*114mm*114mm、0.635mm*120mm*120mm、1.5mm*120mm*120mm

材料:

型號:TC027

適用:集成電路互連基板、光電通信、MCM、陶瓷載體、激光載體等領域

電話:0755-29304991

手機:189 2743 8086

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產品介紹 產品參數

氮化鋁陶瓷是共價鍵化合物,屬于六方晶系,纖鋅礦型的晶體結構,呈白色或灰白色。氮化鋁導熱性好,熱膨脹系數小,是良好的耐熱沖擊材料。具有優異的抗熱震性。AlN的導熱率是Al2O3的2~3倍,熱壓時強度比Al2O3還高。氮化鋁陶瓷片對Al和其他熔融金屬、砷化鎵等具有良好的耐蝕性,尤其對熔融Al液具有極好的耐侵蝕性,還具有優良的電絕緣性和介電性質。但氮化鋁的高溫抗氧化性差,在大氣中易吸潮、水解,和濕空氣、水或含水液體接觸產生熱和氮并迅速分解。在2516℃分解,熱硬度很高,即使在分解溫度前也不軟化變形。氮化鋁和水在室溫下也能緩慢地進行反應,而被水解。和干燥氧氣在800℃以上進行反應。

物理性質

密度:3.26

熔點:>2200 ℃(lit.)

性狀:powder

溶解性:MAY DECOMPOSE

化學性質

室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好,熱膨脹系數小,是良好的耐熱沖擊材料。具有優異的抗熱震性。AlN的導熱率是Al2O3的2~3倍,熱壓時強度比Al2O3還高。氮化鋁對Al和其他熔融金屬、砷化鎵等具有良好的耐蝕性,尤其對熔融Al液具有極好的耐侵蝕性,還具有優良的電絕緣性和介電性質。但氮化鋁的高溫抗氧化性差,在大氣中易吸潮、水解,和濕空氣、水或含水液體接觸產生熱和氮并迅速分解。在2516℃分解,熱硬度很高,即使在分解溫度前也不軟化變形。氮化鋁和水在室溫下也能緩慢地進行反應,而被水解。和干燥氧氣在800℃以上進行反應。

生產方法

1.將氨和鋁直接進行氮化反應,經粉碎、分級制得氮化鋁粉末?;蛘邔⒀趸X和炭充分混合,在電爐中于1700℃還原制得氮化鋁。

2.將高純度鋁粉脫脂(用乙醚抽提或在氮氣流中加熱到150℃)后,放到鎳盤中,將盤放在石英或瓷制反應管內,在提純的氮氣流中慢慢地進行加熱。氮化反應在820℃左右時發出白光迅速地進行。此時,必須大量通氮以防止反應管內出現減壓。這個激烈的反應完畢后,在氮氣流中冷卻。由于產物內包有金屬鋁,可將其粉碎,并在氮氣流中于1100~1200℃溫度下再加熱1~2h,即得到灰白色氮化鋁。

另外,將鋁在1200~1400℃下蒸發氣化,使其與氮氣反應即得到氮化鋁的須狀物(金屬晶須)。此外,也有將AlCl3·NH3加成物進行熱分解的制法。

3.直接氮化法 將氮和鋁直接進行氮化反應,經粉碎、分級制得。氮化鋁產品質量受反應爐溫、原料的預混合以及循環氮化鋁粉末所占的混合比例、氮化鋁比表面積等條件的影響。因此需嚴格控制工藝過程,得到穩定特性的氮化鋁粉末(如比表面積、一次粒徑、凝聚粒徑、松密度和表面特性等)。

儲運條件

干性的保護氣體下處置,保持貯藏器密封,放入緊密的貯藏器內,儲存在陰涼,干燥的地方。

產品用途

1.氮化鋁陶瓷是一種高技術新型陶瓷。氮化鋁陶瓷基片具有極高的熱導率,無毒、耐腐蝕、耐高溫,熱化學穩定性好等特點,是大規模集成電路,半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。也是提高高分子材料熱導率和力學性能的最佳添加料,氮化鋁陶瓷還可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫、耐腐蝕結構陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷制品,用作高導熱陶瓷生產原料及樹脂填料等。氮化鋁是電絕緣體,介電性能良好。砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護它在退火時免受離子的注入。

2.用作高導熱陶瓷生產原料、AlN陶瓷基片原料、樹脂填料等。



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